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型号： MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
制造商： Micron Technology Inc
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MT47H256M8EB-25E XIT:C TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT47H256M8EB-25E XIT:C TR价格参考。Micron Technology IncMT47H256M8EB-25E XIT:C TR封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MT47H256M8EB-25E XIT:C TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT47H256M8EB-25E XIT:C TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.（美光科技）生产的存储器型号 MT47H256M8EB-25E XIT:C TR 是一款基于 DDR3L SDRAM 技术的低功耗内存芯片。以下是其主要应用场景及特点的分析：

 1. 应用场景
   - 移动设备：该型号采用低功耗 DDR3L 技术，适合对能耗要求严格的移动设备，如智能手机、平板电脑和便携式多媒体设备。
   - 嵌入式系统：适用于工业控制、医疗设备、网络路由器、交换机等需要高性能和低功耗的嵌入式系统。
   - 物联网（IoT）设备：在需要高效数据处理和存储的物联网设备中，例如智能家居控制器、可穿戴设备等。
   - 汽车电子：可用于车载信息娱乐系统、导航设备和高级驾驶辅助系统（ADAS），满足汽车环境下的可靠性和性能需求。
   - 消费类电子产品：如数字电视、机顶盒、游戏机等，提供快速的数据访问和流畅的用户体验。

 2. 技术特点
   - 容量与位宽：该芯片单颗容量为 2Gb（256Mb x 8），支持多芯片堆叠以实现更高容量。
   - 低功耗设计：工作电压为 1.35V（DDR3L 标准），相比传统 DDR3 的 1.5V 更节能，延长电池续航时间。
   - 高速性能：支持高达 1600 MT/s 的数据传输速率，确保高效的内存带宽。
   - 可靠性：符合工业级标准，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行（通常为 -40°C 至 +85°C）。
   - 封装形式：采用 FBGA 封装，具有小型化和高密度的优点，适合紧凑型设计。

 3. 优势
   - 节能高效：低功耗特性使其成为移动和嵌入式应用的理想选择。
   - 广泛兼容性：支持主流处理器平台，易于集成到各种系统中。
   - 高可靠性：经过严格测试，能够在严苛环境下长期稳定工作。

综上所述，MT47H256M8EB-25E XIT:C TR 主要应用于需要低功耗、高性能和高可靠性的场景，尤其是在移动设备、嵌入式系统和物联网领域中表现突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 60FBGA
产品分类	存储器
品牌	Micron Technology Inc
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MT47H256M8EB-25E XIT:C TR
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	60-FBGA（9x11.5）
包装	带卷（TR）
存储器类型	DDR2 SDRAM
存储容量	2G（256M x 8）
封装/外壳	60-TFBGA
工作温度	-40°C ~ 95°C
接口	并联
标准包装	1,000
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	2.5ns